[发明专利]动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法有效
| 申请号： | 201711227178.X | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107910330B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B69/00 | 分类号： | H10B69/00;H01L23/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法，有源区呈阵列式排布，同一列的相邻有源区的宽度不相同，且列方向与有源区的延伸方向相交，因此降低了制备难度，并且为后续模块的制备提供了基础，能改善开启电压较高、导通电阻较大等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 阵列 及其 版图 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，包括配置在半导体衬底中的隔离结构和多个有源区，所述有源区的长度向中心轴在延伸方向延伸；所述隔离结构配置在所述多个有源区之间；所述有源区呈阵列式排布并包括多个第一有源区以及多个第二有源区，沿一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第一有源区与沿另一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第二有源区相平行邻近，并且所述第一有源区与所述第二有源区在同一字线向列区域中呈现交错排布，所述第一有源区的第一宽度小于所述第二有源区的第二宽度。
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