[发明专利]一种提升TLC闪存编码率的方法在审
| 申请号： | 201711227401.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108255635A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 许毅;姚兰;郑春阳 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于当Block被擦除的次数小于预先设置的擦除拐点次数PE_tr时选择BCH为该Block的BER纠错算法；Block被擦除的次数不小于预先设置的擦写拐点次数PE_tr时选择LDPC为该Block的BER纠错算法。通过在TLC NAND的生命周期内动态调整纠错算法策略，即动态调整校验数据大小，期望总体提升TLC闪存的编码率。 | ||
| 搜索关键词： | 纠错算法 编码率 擦除 闪存 动态调整 预先设置 拐点 生命周期 校验数据 擦写 期望 | ||
【主权项】：
1.一种提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于当Block被擦除的次数小于预先设置的擦除拐点次数PE_tr时选择BCH为该Block的BER纠错算法；Block被擦除的次数不小于预先设置的擦写拐点次数PE_tr时选择LDPC为该Block的BER纠错算法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳忆联信息系统有限公司，未经深圳忆联信息系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711227401.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数据读取方法及装置
- 下一篇：一种服务器系统
