[发明专利]有机发光二极管面板及其制造方法有效
申请号: | 201711230577.1 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN109216411B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 王俊富 | 申请(专利权)人: | 敦泰电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种有机发光二极管面板及其制造方法。此有机发光二极管面板包括至少一像素,此像素包括一阳极层、一绝缘层、一发光材料层以及一参考电压层。阳极层配置于一透明基板上。绝缘层配置于阳极层上,具有一第一凹坑以及一第二凹坑,以分别暴露阳极层以及阴极层。第一凹坑内包括一空穴注入层以及一空穴传输层。空穴注入层配置于阳极层上。空穴传输层配置于空穴注入层上。第二凹坑内包括一阴极层、一电子注入层以及一电子传输层。阴极层配置于第二凹坑的底部上。电子注入层配置于阴极层上。电子传输层配置于该电子注入层上。参考电压层配置于第一凹坑与第二凹坑之间,且配置于发光材料层之下。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管面板,包括:至少一像素;其特征在于,该像素包括:一阳极层,配置于一透明基板上;一第一绝缘层(insulator),配置于该阳极层上;一阴极层,配置于该第一绝缘层上;一第二绝缘层,配置于该阴极层上;一第一凹坑,贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层,以暴露该阳极层;一第二凹坑,贯穿该第二绝缘层,以暴露该阴极层;一参考电压层,配置在该第一凹坑与该第二凹坑之间;一空穴注入层,配置于该第一凹坑内,且配置于该阳极层上;一空穴传输层,配置于该第一凹坑内,且配置于该空穴注入层上;一电子注入层,配置于该第二凹坑内,且配置于该阴极层上;一电子传输层,配置于该第二凹坑内,且配置于该电子注入层上;以及一发光材料层,配置于该电子注入层以及该电子传输层上,其中,该阴极层、该阳极层以及该参考电压层构成三端点有机发光二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的