[发明专利]一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层有效
| 申请号： | 201711234307.8 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108054194B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郭宇锋;杨可萌;张珺;李曼;姚佳飞;张瑛;吉新村;蔡志匡 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 徐莹 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 三维 横向 掺杂 半导体器件 耐压 | ||
【主权项】：
1.一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P型或N型重掺杂区域为中心的结构中掺杂浓度为非线性分布。
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