[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711239759.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108133726B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 田中信二;薮内诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其能够降低因布线的寄生电阻或者寄生电容的影响而使信号波形变钝的现象。半导体器件具有向由驱动信号驱动的布线的远端部分供给升压电压的供给电路。所述供给电路具有：反相器电路，该反相器电路的输入与所述布线耦合；以及开关元件，其由所述反相器电路的输出信号控制。所述开关元件使所述升压电压与所述布线的远端部分连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有向由驱动信号驱动的布线的远端部分供给升压电压的供给电路，所述供给电路具有：反相器电路，该反相器电路的输入与所述布线的远端部分耦合；以及开关元件，其由所述反相器电路的输出信号控制，所述开关元件将所述升压电压连接于所述布线的远端部分。
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