[发明专利]一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711245607.6 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107954712B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 慕春红;宋远强;邓凯;冉奥 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料及其制备方法，属于先进介电陶瓷材料技术领域。本发明的低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料，其特征在于，包括以下重量份的组分：钙盐0.62～1.48份，铜盐或者铜的氧化物1.34～4.54份，二氧化钛1.5～2.5份，石墨烯0.012～0.15份，纳米P型半导体0.02～0.06份和粘合剂0.1‑0.5份。本发明得到的经石墨烯、纳米P型半导体混合掺杂的CCTO介电陶瓷具有更细小而均匀的晶粒，介电常数提高，最重要的是介电损耗显著下降，综合介电性能得到显著提高。本发明中所用到的工艺为传统固相合成工艺，工艺过程及设备简单，工艺成本低，易于实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 巨介电 ccto 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料，其特征在于，包括以下重量份的组分：钙盐0.62～1.48份，铜盐或者铜的氧化物1.34～4.54份，二氧化钛1.5～2.5份，石墨烯0.012～0.15份，纳米P型半导体0.02～0.06份和粘合剂0.1‑0.5份。
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