[发明专利]超临界流体制造装置和基板处理装置有效
申请号: | 201711249381.7 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN108155117B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 清原康雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种超临界流体制造装置和基板处理装置。超临界流体制造装置能够吸收在超临界流体制造装置内流动的处理流体的压力变动或脉动,并且能够防止缓冲罐中滞留微粒的不良情况。超临界流体制造装置(70)具备气体供给线(71a)、冷却器(72)、泵(74)、缓冲罐(80)、加热装置(75)以及超临界流体供给线(71c)。在缓冲罐(80)的规定位置设置有供来自泵(74)的处理流体流入的流入口(83),在与流入口(83)不同的位置设置有供处理流体流出的流出口(84)。缓冲罐(80)具有用于贮存来自泵(74)的处理流体的缓冲罐主体(85)以及对被送入到缓冲罐主体(85)中的处理流体进行加热的加热器(86)。 | ||
搜索关键词: | 临界 流体 制造 装置 处理 | ||
【主权项】:
一种超临界流体制造装置,具备:气体供给线,其用于供给气体状的处理流体;冷却器,其与所述气体供给线连接,通过对来自所述气体供给线的气体状的处理流体进行冷却来生成液体状的处理流体;泵,其与所述冷却器连接,将来自所述冷却器的液体状的处理流体的压力提高后将该处理流体送出;缓冲罐,其与所述泵连接,吸收来自所述泵的处理流体的压力变动或脉动;加热装置,其与所述缓冲罐连接,对来自所述缓冲罐的处理流体进行加热;以及超临界流体供给线,其与所述加热装置连接,用于送出来自所述加热装置的超临界状态的处理流体,其中,在所述缓冲罐的规定位置设置有供来自所述泵的处理流体流入的流入口,在所述缓冲罐中的与所述流入口不同的位置设置有供处理流体流出的流出口,所述缓冲罐具有用于贮存来自所述泵的处理流体的缓冲罐主体以及对被送入到所述缓冲罐主体中的处理流体进行加热的加热器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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