[发明专利]一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃及制作方法在审
| 申请号： | 201711263924.0 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108008587A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 文尚胜;陈佐艺;陈颖聪;陈浩伟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/155 | 分类号： | G02F1/155 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃及制作方法，该制作方法具体过程如下：在第一玻璃基底上镀有一层ITO层，通过光刻，显影腐蚀等步骤得到图案化的第一透明导电层，在图案化的第一透明导电层表面镀上电致变色层；在第二玻璃基底镀上ITO层，通过光刻，显影腐蚀等步骤得到图案化的第二透明导电层，在图案化的第二透明导电层表面镀上离子储存层后，在离子储存层和电致变色层之间制备电解质层，获得以图案化ITO作为透明导电层的电致变色玻璃。本发明用图案化ITO制作透明导电层，使电致变色玻璃的响应时间减少，循环寿命增长，颜色对比度增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 ito 作为 透明 导电 玻璃 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括下列步骤：S1、在第一玻璃基底镀上一层ITO层，并通过光刻，显影腐蚀得到图案化的第一透明导电层；S2、在所述的图案化的第一透明导电层的表面镀上电致变色层；S3、在第二玻璃基底镀上一层ITO层，并通过光刻，显影腐蚀得到图案化的第二透明导电层；S4、在所述的图案化的第二透明导电层的表面镀上离子储存层；S5、在所述的离子储存层和所述的电致变色层之间制备电解质层，获得以图案化ITO作为透明导电层的电致变色玻璃。
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