[发明专利]一种湿法刻蚀的上料装置在审
申请号: | 201711267254.X | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN107919307A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 林建伟;何大娟;刘志锋;季根华;刘勇 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种湿法刻蚀的上料装置,包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽,反应槽设置在上料主机台上,滚轮设置在反应槽的顶部,反应槽里放置有腐蚀液,反应槽中的腐蚀液的液面高于滚轮的底部,储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至反应槽,储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。其有益效果是本实施例的湿法刻蚀的上料装置将上料和反应槽集成于一个单元槽,在完成硅片上料的同时,还可实现去除单面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工艺的功能槽作用,从而增加了本发明的湿法刻蚀的上料装置的功能,减少了制造工序及设备成本,节约了功能槽的长度,节省了设备空间,减少了多道滚轮转动带来的碎片。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
一种湿法刻蚀的上料装置,包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽,其特征在于:所述反应槽设置在所述上料主机台上,所述滚轮设置在所述反应槽的顶部,所述反应槽里放置有腐蚀液,所述反应槽中的腐蚀液的液面高于所述滚轮的底部,所述储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至所述反应槽,所述储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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