[发明专利]一种对准图案制作方法有效
申请号: | 201711270272.3 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN109870876B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;李够生 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种对准图案制作方法,包括:提供一衬底,在衬底的上表面上形成第一对准图案;在衬底的上表面形成阻挡层,阻挡层覆盖第一对准图案,并在阻挡层中形成第二对准图案;在阻挡层上形成抗蚀图案层,抗蚀图案层覆盖第二对准图案;在抗蚀图案层中形成多个间隔排布的定义图形边界区,以构成复合式硬掩膜层,其中第一对准图案延伸分布在相邻的多个定义图形边界区之间,第二对准图案延伸分布在相邻的多个定义图形边界区之间,使第一对准图案和第二对准图案皆为连续图案并以多个定义图形边界区分隔成多个图案区块。本发明方法简化了对准图案的制作难度,提高了各层对准图案叠合的套准精度和完整性,减少图形杂讯。 | ||
搜索关键词: | 一种 对准 图案 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种对准图案制作方法,其特征在于,包括:提供一衬底,在所述衬底的上表面上形成第一对准图案;在所述衬底的所述上表面形成阻挡层,所述阻挡层覆盖所述第一对准图案,并在所述阻挡层中形成第二对准图案;在所述阻挡层上形成抗蚀图案层,所述抗蚀图案层覆盖所述第二对准图案;在所述抗蚀图案层中形成多个间隔排布的定义图形边界区,以构成复合式硬掩膜层,其中所述第一对准图案延伸分布在相邻的多个所述定义图形边界区之间,所述第二对准图案延伸分布在相邻的多个所述定义图形边界区之间,使所述第一对准图案和所述第二对准图案皆为连续图案并以多个所述定义图形边界区分隔成多个图案区块。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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