[发明专利]一种SRAM的辅助电路有效
| 申请号： | 201711271069.8 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109872748B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 陈双文;张静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C8/08 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 潘彦君;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种SRAM的辅助电路，包括：存储单元阵列、字线以及时钟信号线，所述字线连接至所述存储单元阵列，适于响应于所述时钟信号线的时钟信号产生字线信号，以选中所述存储单元阵列中的存储单元，所述辅助电路包括：字线电压降低单元，适于降低所述字线信号的电压值；以及字线电压抬升单元，与所述字线电压降低单元耦接，适于响应于所述字线信号，减少所述字线电压降低单元对所述字线信号的电压值的降低量。所述SRAM的辅助电路读写速度较快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 辅助 电路 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM的辅助电路，所述SRAM包括存储单元阵列、字线以及时钟信号线，所述字线连接至所述存储单元阵列，适于响应于所述时钟信号线的时钟信号产生字线信号，以选中所述存储单元阵列中的存储单元，其特征在于，所述辅助电路包括：字线电压降低单元，适于降低所述字线信号的电压值；以及字线电压抬升单元，与所述字线电压降低单元耦接，适于响应于所述字线信号，减少所述字线电压降低单元对所述字线信号的电压值的降低量。
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