[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711274459.0 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109524465B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 戈本·多恩伯斯;马克·范·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，形成从第一隔离绝缘层突出的鳍结构。形成由与第一隔离绝缘层不同的材料制成的第二隔离绝缘层，使得鳍结构的第一上部暴露；在第一鳍结构的暴露的第一上部上方形成伪栅极结构。通过使用伪栅极结构作为蚀刻掩模蚀刻第二隔离绝缘层。去除伪栅极结构以形成栅极空间；在栅极空间中蚀刻第二隔离绝缘层，使得鳍结构的第二上部从第一隔离绝缘层暴露。在鳍结构的暴露的第二上部上方形成栅极介电层和栅电极层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成从第一隔离绝缘层突出的鳍结构，所述第一隔离绝缘层设置在衬底上方；形成由与所述第一隔离绝缘层不同的材料制成的第二隔离绝缘层，从而暴露所述鳍结构的第一上部；在所述鳍结构的暴露的第一上部上方形成伪栅极结构；通过将所述伪栅极结构用作蚀刻掩模，蚀刻所述第二隔离绝缘层；去除所述伪栅极结构以形成栅极空间；在所述栅极空间蚀刻所述第二隔离绝缘层，使得所述鳍结构的第二上部从所述第一隔离绝缘层暴露；以及在所述鳍结构的暴露的所述第二上部上方形成栅极介电层，并且在所述栅极介电层上方形成栅电极层。
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