[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201711275800.4 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108336058B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 孙钟弼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：半导体基底，具有由器件隔离层限定的第一导电类型的有源区；第一杂质区，位于有源区中；反熔丝栅电极，位于半导体基底上，并且横跨第一杂质区延伸；反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；选择栅电极，位于半导体基底上，并且横跨有源区延伸；选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；以及第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间的有源区中。第一杂质区和第二杂质区具有第二导电类型的杂质。第一杂质区具有小于第二杂质区的杂质浓度的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：半导体基底，包括由器件隔离层限定的有源区，有源区具有第一导电类型；第一杂质区，位于有源区中；反熔丝栅电极，位于半导体基底上，反熔丝栅电极横跨第一杂质区延伸；反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；选择栅电极，位于半导体基底上，选择栅电极横跨有源区延伸，选择栅电极与反熔丝栅电极间隔开；选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；以及第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间的有源区中，第二杂质区连接到第一杂质区，第一杂质区和第二杂质区具有第二导电类型的杂质，第一杂质区具有小于第二杂质区的杂质浓度的杂质浓度。
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