[发明专利]LDMOS器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711278066.7 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN109888015A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 何乃龙;张森;张广胜;兰云 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘雯
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种LDMOS器件及其制备方法,获取形成有第一导电类型掺杂区、且在所述第一导电类型掺杂区内形成有顶埋层、在所述顶埋层上形成有场氧化绝缘层结构的晶圆;在所述第一导电类型掺杂区上开设沟槽,所述沟槽延伸至所述顶埋层和场氧化绝缘层结构从而将所述顶埋层去除掉一部分;注入第二导电类型离子、在所述沟槽下方形成阱区;在所述阱区内形成源极掺杂区;所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型,将阱区的位置向下调整,且由于顶埋层和场氧化绝缘层结构之间、顶埋层、场氧化绝缘层结构和沟槽之间不存在第一导电类型掺杂区,这样导电沟道就不经过JEFT区域,能够在获得高的源漏击穿电压同时得到更低的导通电阻。
搜索关键词: 第一导电类型 埋层 绝缘层结构 场氧化 掺杂区 导电类型 阱区 制备 导电类型离子 源漏击穿电压 源极掺杂区 导电沟道 导通电阻 向下调整 除掉 晶圆 掺杂 延伸
【主权项】:
1.一种LDMOS器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:获取形成有第一导电类型掺杂区、且在所述第一导电类型掺杂区内形成有顶埋层、在所述顶埋层上形成有场氧化绝缘层结构的晶圆;在所述第一导电类型掺杂区上开设沟槽,所述沟槽延伸至所述顶埋层和场氧化绝缘层结构,从而将所述顶埋层去除掉一部分;注入第二导电类型离子、在所述沟槽下方形成阱区;在所述阱区内形成源极掺杂区;所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。
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