[发明专利]低压静电保护电路、芯片电路及其静电保护方法有效
| 申请号： | 201711282468.4 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107910858B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 洪根刚 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低压静电保护电路、芯片电路及其静电保护方法，保护电路包括第一保护单元及第二保护单元，第一保护单元包含第一二极管及第二二极管，第一二极管的阳极与第二二极管的阴极相连且作为保护电路的第一接入端，第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相连且作为第一保护单元的串接端，第二保护单元包含第三二极管及第四二极管，第三二极管的阳极与第四二极管的阴极相连且作为第二保护单元的串接端，第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相连且作为保护电路的第二接入端，第一保护单元的串接端与第二保护单元的串接端相连。通过本发明解决了现有芯片设计中，根据不同位置的应用需要设计不同结构的静电保护电路，耗费大量设计时间的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 静电 保护 电路 芯片 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种低压静电保护电路，其特征在于，所述保护电路包括第一保护单元及第二保护单元，所述第一保护单元包含第一二极管及第二二极管，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极相连且作为所述保护电路的第一接入端，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极相连且作为所述第一保护单元的串接端，所述第二保护单元包含第三二极管及第四二极管，所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极相连且作为所述第二保护单元的串接端，所述第三二极管的阴极与所述第四二极管的阳极相连且作为所述保护电路的第二接入端，所述第一保护单元的串接端与所述第二保护单元的串接端相连。
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