[发明专利]背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器在审
| 申请号： | 201711282559.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107910297A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 高俊九;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器。所述背照式图像传感器的制造方法，包括如下步骤提供一衬底，并采用光刻工艺在衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域；在所述衬底表面沉积金属材料，以在所述像素区域形成金属层、并在所述周边区域形成焊垫；对所述金属层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层。本发明减少了背照式图像传感器的光刻次数，降低了背照式图像传感器制造成及工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，并采用光刻工艺在所述衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域；在所述衬底表面沉积金属材料，以在所述像素区域形成金属层、并在所述周边区域形成焊垫；对所述金属层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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