[发明专利]偏置电路有效
| 申请号： | 201711282664.1 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108233879B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 曽我高志 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫;宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种改善放大器的非线性工作的偏置电路。偏置电路(10)具有双极型晶体管(Q1、Q2、Q3、Q4)以及滤波电路(40)。双极型晶体管(Q3)向放大器(50)提供偏置信号。滤波电路(40)通过双极型晶体管(Q1)的基极端子(B1)连接在双极型晶体管(Q1)的集电极端子(C1)与接地之间。滤波电路(40)具有使被输入至放大器(50)的RF信号的高频分量衰减的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 电路 | ||
【主权项】：
1.一种偏置电路，其特征在于,具有：第一双极型晶体管，该第一双极型晶体管包括通过第一电流路径连接至电源端子的第一集电极端子，接地的第一发射极端子，及第一基极端子；第二双极型晶体管，该第二双极型晶体管包括通过第二电流路径连接至恒压电源或恒流电源的第二集电极端子，接地的第二发射极端子，及连接至所述第一基极端子的第二基极端子；第三双极型晶体管，该第三双极型晶体管包括第三基极端子，通过所述第一电流路径连接至所述电源端子的第三集电极端子，通过所述第一电流路径连接至所述第一集电极端子且向放大器提供偏置信号的第三发射极端子；第四双极型晶体管，该第四双极型晶体管包括连接至所述第三基极端子的第四基极端子，通过所述第二电流路径连接至所述恒压电源或所述恒流电源的第四集电极端子，及通过所述第二电流路径连接至所述第二集电极端子的第四发射极端子，且该第四双极型晶体管中所述第四集电极端子与所述第四基极端子相连接；以及滤波电路，该滤波电路通过所述第一基极端子连接在所述第一集电极端子与接地之间，且该滤波电路具有使被输入至所述放大器的RF信号的高频分量衰减的频率特性。
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