[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711289111.9 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108877857B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 尹炳国;金洪谦 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 赵爱玲;张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置包括读取模式信号生成电路和读取校准电路。读取模式信号生成电路将读取命令与内部时钟信号中的至少一个进行比较以生成读取模式信号。读取校准电路响应于内部数据与至少一个内部时钟信号同步以生成读取数据。读取校准电路响应于读取模式信号来控制内部数据的校准序列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：读取模式信号生成电路，其被配置成将读取命令与至少一个内部时钟信号进行比较以生成读取模式信号；以及读取校准电路，其被配置成响应于内部数据与所述至少一个内部时钟信号同步以生成读取数据，其中所述读取校准电路响应于所述读取模式信号来控制所述内部数据的校准序列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711289111.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：储存装置、记录方法以及预载方法
- 下一篇：储存装置以及刷新方法
