[发明专利]半导体器件的互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711290392.X | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109427655B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 游佳达;李凯璿;陈燕铭;徐志安;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件和形成方法，器件包括：导线，设置在衬底上方；第一介电层，设置在衬底上方并且与导线共面；第二介电层和第三介电层，第二介电层设置在导线上方，第三介电层设置在第一介电层上方；以及通孔，延伸穿过第二介电层并且连接至导线。第二介电层和第三介电层共面，并且第二介电层和第三介电层具有不同的组分。在一些实施例中，在导线上选择性地沉积第二介电层。本发明的实施例还涉及半导体器件的互连结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：导线，设置在衬底上方；第一介电层，设置在所述衬底上方并且与所述导线共面；第二介电层和第三介电层，所述第二介电层设置在所述导线上方，所述第三介电层设置在所述第一介电层上方，其中，所述第二介电层和所述第三介电层共面，并且所述第二介电层和所述第三介电层具有不同的组分；以及通孔，延伸穿过所述第二介电层并且连接至所述导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
