[发明专利]鳍式场效晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201711292065.8 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109326561B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 洪同萱;沈冠傑;许秉诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部，自这些凹部磊晶成长第一半导体材料，蚀刻第一半导体材料，以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效晶体管的制造方法，其特征在于，包含：形成延伸进入一半导体基板的多个隔离区；凹陷所述多个隔离区，使得所述多个隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于所述多个隔离区以形成多个半导体鳍片；凹陷所述多个半导体鳍片以形成多个凹部；自所述多个凹部磊晶成长一第一半导体材料；蚀刻该第一半导体材料；以及自已回蚀刻的该第一半导体材料磊晶成长一第二半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711292065.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的制造方法
- 下一篇：金属栅极结构、半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
