[发明专利]完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器有效
| 申请号： | 201711292440.9 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108616261B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | S·T·李;阿贝拉特·贝拉尔 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露涉及完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器，其一般是关于半导体结构，并且尤其是关于具有独特的偏压及电压驻波比保护的完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器及制造的方法。该结构包含伪差动共源极放大器；连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力的第一级串迭装置；连接至该第一级串迭装置及提供差动输出的第二级串迭装置；以及从该第二级串迭装置接收该差动输出及回馈该差动输出至该第二级串迭装置的至少一个回路。 | ||
| 搜索关键词： | 完全 空乏 绝缘 层上覆硅 功率放大器 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：伪差动共源极放大器；第一级串迭装置，连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力；第二级串迭装置，连接至该第一级串迭装置及提供差动输出；以及至少一个回路，从该第二级串迭装置接收该差动输出及回馈该差动输出至该第二级串迭装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司，未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711292440.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种功率放大器的电源电路
- 下一篇：一种滤波器频率调谐结构
