[发明专利]半导体器件以及接触插塞有效
| 申请号： | 201711292996.8 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108231727B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李义福 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件以及接触插塞。一种半导体器件具有高的电连接可靠性并且包括：基底基板，具有连接目标层；下接触插塞，形成在基底基板之上并电连接到连接目标层；以及上接触插塞，形成在下接触插塞之上，其中下接触插塞包括：下插塞层，具有从下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充间隙部分；以及上覆盖层，覆盖下插塞层的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 接触 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基底基板，包括连接目标层；下接触插塞，在所述基底基板之上并电连接到所述连接目标层；以及上接触插塞，在所述下接触插塞之上，所述下接触插塞包括：下插塞层，限定从所述下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充所述间隙部分；以及上覆盖层，覆盖所述下插塞层的顶表面。
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