[发明专利]半导体器件及制造其的方法

摘要

一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外围结构在外围电路区域上。下绝缘层覆盖外围电路区域和单元阵列区域，并且具有从平坦部分凸出的凸出部分。堆叠在下绝缘层和单元阵列区域上，并且包括交替地且重复地堆叠的上导电图案和绝缘图案。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括外围电路区域和单元阵列区域；外围结构，其在所述外围电路区域上；下绝缘层，其覆盖所述外围电路区域和所述单元阵列区域，所述外围电路区域上的所述下绝缘层具有平坦部分和从所述平坦部分凸出的凸出部分；以及堆叠，其在所述下绝缘层上并且在所述单元阵列区域上，其中所述堆叠包括交替地且重复地堆叠的上导电图案和绝缘图案。