[发明专利]光学防伪元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711294804.7 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109895526B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 胡春华;朱军;吴远启;张巍巍;封敏宇 | 申请（专利权）人： | 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司 |
| 主分类号： | B42D25/40 | 分类号： | B42D25/40;B42D25/324 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陆文超;肖冰滨 |
| 地址： | 100070 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种光学防伪元件及其制作方法，属于光学防伪领域。所述光学防伪元件包括：基材；位于所述基材上的起伏结构层，该起伏结构层至少包括由第一微结构组成的第一区域和由第二微结构组成的第二区域，其中所述第一微结构的深宽比小于所述第二微结构的深宽比；仅位于所述第一区域上的反射层；位于所述反射层之上且覆盖所述第一区域的至少第一子区域的介质层；以及位于所述介质层之上且仅覆盖所述第一区域的所述第一子区域而不覆盖所述第一区域的第二子区域的吸收层。其能够大大提高光学防伪产品的防伪力度。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 防伪 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括：基材；位于所述基材上的起伏结构层，该起伏结构层至少包括由第一微结构组成的第一区域和由第二微结构组成的第二区域，其中所述第一微结构的深宽比小于所述第二微结构的深宽比；仅位于所述第一区域上的反射层；位于所述反射层之上且覆盖所述第一区域的至少第一子区域的介质层；以及位于所述介质层之上且仅覆盖所述第一区域的所述第一子区域而不覆盖所述第一区域的第二子区域的吸收层。
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