[发明专利]MOS管制作方法、MOS管、三维存储器及电子设备有效
| 申请号： | 201711303780.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108039322B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 许文山;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS管制作方法、MOS管、三维存储器及电子设备。其中，所述MOS管制作方法，包括：在目标衬底上形成有源区；在所述有源区上方形成分段式氧化层，所述分段式氧化层包括设于第一电极区上方的第一平层段，靠近栅极区的第二平层段，以及介于所述第一平层段与所述第二平层段之间且沿靠近栅极区方向逐渐增厚的渐变段；向所述分段式氧化层下的有源区进行离子掺杂，在所述有源区形成分段式漂移区和第一电极；基于所述分段式漂移区和所述第一电极形成MOS管。本发明提供的MOS管制作方法，可以有效避免部分位置因电场强度太大而容易击穿并导致器件损坏失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mos 制作方法 三维 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种MOS管制作方法，其特征在于，包括：在目标衬底上定义有源区，其中，所述有源区包括待形成第一电极的第一电极区和待形成栅极的栅极区，所述第一电极包括漏极和/或源极；在所述有源区上方形成分段式氧化层，所述分段式氧化层包括设于第一电极区上方的第一平层段，靠近栅极区的第二平层段，以及介于所述第一平层段与所述第二平层段之间且沿靠近栅极区方向逐渐增厚的渐变段；穿过所述分段式氧化层向所述分段式氧化层下的有源区进行离子掺杂，在所述有源区形成分段式漂移区和第一电极，其中，所述分段式漂移区在所述第一平层段下方的深度大于在所述第二平层段下方的深度且在所述渐变段下方缓变；基于所述分段式漂移区和所述第一电极形成MOS管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
