[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于N型衬底表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一、第二沟槽表面的第一、第二P型扩散区、形成于N型衬底及所述第一、第二P型扩散区表面的N型外延、形成于N型外延上的氧化硅层、贯穿N型外延并延伸至N型衬底中与第一P型扩散区两侧的两个第三沟槽、贯穿N型外延并延伸至N型衬底与第二P型扩散区两侧的两个第四沟槽、位于第三、第四沟槽中的氧化硅、对应第一沟槽的第一通孔、对应第二沟槽的第二通孔、形成于N型外延层表面并延伸至N型衬底中的P型注入区、形成于P型注入区表面的N型注入区、对应N型注入区的开口、及形成于N型衬底另一侧的P型注入层。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽表面的第一P型扩散区形成于所述第二沟槽表面的第二P型扩散区、形成于所述N型衬底及所述第一、第二P型扩散区表面的N型外延、形成于所述N型外延上的氧化硅层、贯穿所述N型外延并延伸至所述N型衬底中与所述第一P型扩散区两侧的两个第三沟槽、贯穿所述N型外延并延伸至所述N型衬底与所述第二P型扩散区两侧的两个第四沟槽、位于所述第三沟槽中的氧化硅、位于所述第四沟槽中的氧化硅、对应所述第一沟槽且贯穿所述氧化硅层的第一通孔、对应所述第二沟槽且贯穿所述氧化硅层的第二通孔、形成于所述N型外延层表面并延伸至所述N型衬底中的P型注入区、形成于所述P型注入区表面的N型注入区、贯穿所述氧化硅层且对应所述N型注入区的开口、及形成于所述N型衬底远离所述N型外延一侧的P型注入层。