[发明专利]光刻胶去除工艺的测试方法有效
| 申请号： | 201711305598.5 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108063100B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 绍兴奥美电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人： | 张丽丽 |
| 地址： | 312500 浙江省绍兴市新昌县七星街道省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶去除工艺的测试方法，所述光刻胶去除工艺的测试方法包括：在半导体衬底涂覆第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖所述半导体衬底的整个表面；在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶，其中所述多层光刻胶均为环状结构且具有不同环宽，且与所述第一光刻胶形成具有多个台阶图形的光刻胶多级台阶结构；对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形的光刻胶厚度进行测量；在所述光刻胶多级台阶结构进行半导体工艺处理，并对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形进行光刻胶去除工艺测试。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 工艺 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除工艺的测试方法，其特征在于，包括：在半导体衬底涂覆第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖所述半导体衬底的整个表面；在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶，其中所述多层光刻胶均为环状结构且具有不同环宽，且与所述第一光刻胶形成具有多个台阶图形的光刻胶多级台阶结构；对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形的光刻胶厚度进行测量；在所述光刻胶多级台阶结构进行半导体工艺处理，并对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形进行光刻胶去除工艺测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
