[发明专利]一种汞离子传感器、制备方法及应用在审
| 申请号： | 201711306708.X | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108287148A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 鲍桥梁;薛天宇;张豫鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 广东良马律师事务所 44395 | 代理人： | 李良 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种汞离子传感器、制备方法及应用，制备方法包括以下步骤：A、首先将二硫化钼纳米材料溶于有机溶剂，得到二硫化钼溶液，其浓度为0.01‑10mg/ml；B、将表面等离激元共振传感器芯片浸泡在所述二硫化钼溶液中，浸泡时间为0.01‑48小时，然后去除没有吸附的二硫化钼，最终得到汞离子传感器。本发明充分利用二硫化钼纳米材料与汞离子较强的相互作用，当表面等离激元共振(SPR)传感器芯片表面溶液中存在汞离子时，使SPR光谱曲线向右移动，实现定量检测汞离子。本发明通过使用二硫化钼材料，增大汞离子的灵敏度，并降低了检测极限。 | ||
| 搜索关键词： | 汞离子 二硫化钼 传感器 制备 表面等离激元 纳米材料 浸泡 传感器芯片表面 共振传感器 定量检测 光谱曲线 有机溶剂 灵敏度 共振 去除 吸附 应用 芯片 检测 移动 | ||
【主权项】：
1.一种汞离子传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、首先将二硫化钼纳米材料溶于有机溶剂，得到二硫化钼溶液，其浓度为0.01‑10mg/ml；B、将表面等离激元共振传感器芯片浸泡在所述二硫化钼溶液中，浸泡时间为0.01‑48小时，然后去除没有吸附的二硫化钼，最终得到汞离子传感器。
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