[发明专利]使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法在审
申请号: | 201711318482.5 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN109917615A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 蔡佳君;杜佳峰 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法,包括提供测试光掩模,该测试光掩模具有特征四边形,依照尺寸与长宽比的变化而不同。对该特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案。使用具有衬线图案的每一个该测试光掩模,在晶片上形成多个测试图案。测量与统计分析该多个测试图案的至少一个几何参数,以决定出一特定衬线图案给每一个该测试光掩模的该角落。建立光学邻近效应修正模型,包括每一个该测试光掩模在该角落的该特定衬线图案。接收一数据库布局图案。使用光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案。执行光学邻近效应修正流程,以对该第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案。根据第二数据库布局图案产生光掩模。 | ||
搜索关键词: | 光学邻近效应修正 测试光掩模 布局图案 线图案 数据库 模型产生 光掩模 测试图案 几何参数 统计分析 长宽比 最佳化 晶片 测量 | ||
【主权项】:
1.一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法,其特征在于,包括:提供测试光掩模,所述测试光掩模具有特征四边形,依照尺寸与长宽比的变化而不同;对所述特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案;使用具有所述衬线图案的每一个所述测试光掩模,在晶片上形成多个测试图案;测量与统计分析所述多个测试图案的至少一个几何参数,以决定出一特定衬线图案给每一个所述测试光掩模的所述角落;建立光学邻近效应修正模型,包括每一个所述测试光掩模在所述角落的所述特定衬线图案;接收一数据库布局图案;使用所述光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案;执行光学邻近效应修正流程,以对所述第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案;以及根据所述第二数据库布局图案产生光掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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