[发明专利]抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标有效
| 申请号： | 201711319998.1 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109917617B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张鑫;吴柯萱;魏树弟;王志;杜继东;何立平;张林军 | 申请（专利权）人： | 北京振兴计量测试研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G01M11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标，该抗冷反射红外靶标制备方法包括：步骤一，在多晶硅基底上涂覆负性光刻胶层；步骤二，通过掩模板对表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行曝光；步骤三，对曝光后的表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行显影处理；步骤四，对表面具有靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底进行电腐蚀；步骤五，在抗反射层和靶标孔形的负性光刻胶层上均涂覆一层膜层；步骤六，除去多晶硅基体上的靶标孔形的负性光刻胶层以及设置在靶标孔形的负性光刻胶层上的膜层，以获取抗冷反射红外靶标。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中靶标表面反射率较高，容易产生冷反射现象的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 红外 靶标 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述抗冷反射红外靶标制备方法包括：步骤一，在多晶硅基底(10)上涂覆负性光刻胶层(20)；步骤二，通过掩模板(30)对表面涂覆有所述负性光刻胶层(20)的所述多晶硅基底(10)进行曝光，所述掩模板(30)具有与待成型的靶标孔形状相同的透光孔；步骤三，对曝光后的表面涂覆有所述负性光刻胶层(20)的所述多晶硅基底(10)进行显影处理，以获取表面具有靶标孔形的负性光刻胶层(20)的多晶硅基底(10)；步骤四，对表面具有靶标孔形的负性光刻胶层(20)的多晶硅基底(10)进行电腐蚀以获取表面具有抗反射层(40)和靶标孔形的负性光刻胶层(20)的多晶硅基底(10)；步骤五，在所述抗反射层(40)和靶标孔形的负性光刻胶层(20)上均涂覆一层膜层(50)，所述膜层(50)用于保护所述抗反射层(40)；步骤六，除去所述多晶硅基体上的靶标孔形的负性光刻胶层(20)以及设置在所述靶标孔形的负性光刻胶层(20)上的所述膜层(50)，以获取抗冷反射红外靶标。
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