[发明专利]X光散射测量的方法有效

专利信息
申请号: 201711320393.4 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN109324278B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 冯世鑫;王仲伟;黄忠利;林逸宏 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01J5/20
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;张福根
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: X光散射测量的方法包含形成测试键。测试键的形成包含形成第一多个半导体条,将第一多个半导体条切割成第二多个半导体条的阵列,阵列的每一列由第一多个半导体条中的一条形成,在第二多个半导体条之间的凹陷中形成隔离区,以及将隔离区凹陷。第二多个半导体条的顶部凸出高于隔离区而形成半导体鳍片,其形成鳍片阵列。此方法还包含将X光束投射至测试键上,以及从测试键散射的散射X光束得到绕射图案。
搜索关键词: 散射 测量 方法
【主权项】:
1.一种X光散射测量的方法,包括:形成一测试键,包括:形成一第一多个半导体条;将该第一多个半导体条切割成一第二多个半导体条的一阵列,其中该阵列的每一列是由该第一多个半导体条中的一条形成;在位在该第二多个半导体条之间的凹陷内形成一隔离区;以及将该隔离区凹陷,其中该第二多个半导体条的顶部凸出高于该隔离区,以形成多个半导体鳍片,且该些半导体鳍片形成一鳍片阵列;将一X光束投射在该测试键上;以及从该测试键散射的散射X光束得到一绕射图案。
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