[发明专利]半导体功率器件的超结结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711326878.4 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108110042A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体功率器件的超结结构包括N型衬底、形成于N型衬底上的N型外延、形成于N型外延表面的第一、第二沟槽、位于N型外延中的第一沟槽下方的与第一沟槽连通的第三沟槽、位于N型外延中的第二沟槽下方的与第二沟槽连通的第四沟槽、位于第三沟槽与第四沟槽表面的P型掺杂区、位于第三、第四沟槽的P型掺杂区表面及第一及第二沟槽侧壁的氧化硅、形成于第一、第二沟槽的氧化硅表面的多晶硅、形成于N型外延表面第一及第二沟槽两侧的P型体区，形成于P型体区表面的N型注入区、形成于P型体区、N型注入区及第一、第二沟槽的氧化硅与多晶硅上方的介质层、及贯穿介质层且对应P型体区及N型注入区的部分的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体功率器件 超结结构 多晶硅 介质层 氧化硅 衬底 连通 氧化硅表面 沟槽表面 沟槽侧壁 通孔 贯穿 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述超结结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、位于所述N型外延中的所述第一沟槽下方的与所述第一沟槽连通的第三沟槽、位于所述N型外延中的所述第二沟槽下方的与所述第二沟槽连通的第四沟槽、位于所述第三沟槽与第四沟槽表面的P型掺杂区、位于所述第三、第四沟槽的所述P型掺杂区表面及所述第一及第二沟槽侧壁的氧化硅、形成于所述第一及第二沟槽的氧化硅表面的多晶硅、形成于所述N型外延表面所述第一及第二沟槽两侧的P型体区，形成于所述P型体区表面的N型注入区、形成于所述P型体区、所述N型注入区及所述第一、第二沟槽的氧化硅与多晶硅上方的介质层、及贯穿所述介质层且对应所述P型体区及所述N型注入区的部分的通孔，其中所述P型体区的P型离子的掺杂浓度比所述P型扩散层的P型离子的掺杂浓度高。
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