[发明专利]半超结FS IEGT结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711328973.8 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108091567B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;闫宏丽;刘鹏飞;杜忠鹏;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半超结FS IEGT结构及其制造方法，器件原胞设计采用半超结FS IEGT结构，可以更好的折衷动静态参数，提高器件的综合性能。本发明的IEGT结构采用Dummy沟槽的结构，Dummy沟槽没有连接到发射极，降低了沟道密度，可以提高器件短路能力；同时，Dummy沟槽区没有空穴通道，使空穴在此区域积累，产生IE效应，电导调制效应增强，导通压降降低；且由于集电极侧的空穴注入并没有增强，故关断时间不会明显增大；本发明的IEGT结构，可以实现低的导通压降和开关损耗，且具有较高的短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半超结 fs iegt 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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