[发明专利]基于混合功能存储单元的可编程器件结构有效

专利信息
申请号: 201711329510.3 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN108182303B 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 刘成利;王海力;陈子贤;马明 申请(专利权)人: 京微齐力(北京)科技有限公司
主分类号: G06F30/34 分类号: G06F30/34;G06F117/08
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 代理人: 陈霁
地址: 100080 北京市海淀区北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于混合功能存储单元的可编程器件结构,包括:存储单元SRAM和混合功能单元;其中,存储单元包括:n个寄存器单元和至少一个选择控制位,其中n=2^x,x为自然数;寄存器单元根据选择控制位选择,当选择控制位选择混合功能单元用作查找表时,实现逻辑功能;或当选择控制位选择混合功能单元用作多路选择器时,实现选路功能。本发明通过对寄存器单元的复用,既实现了传统FPGA的选路功能,又提供了逻辑的功能,大大减少了资源的浪费。
搜索关键词: 基于 混合 功能 存储 单元 可编程 器件 结构
【主权项】:
1.一种基于混合功能存储单元的可编程器件结构,其特征在于,包括:存储单元(SRAM)和混合功能单元;其中,存储单元包括:n个寄存器单元和至少一个选择控制位,其中n=2^x,x为自然数;所述寄存器单元根据所述选择控制位选择,当所述选择控制位选择所述混合功能单元用作查找表时,实现逻辑功能;或当所述选择控制位选择所述混合功能单元用作多路选择器时,实现选路功能。
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