[发明专利]一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法在审
| 申请号： | 201711329899.1 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108054083A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 马鸣明;张伟光;彭侃 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法，应用在离子注入工艺中，其中，提供一晶圆，所述晶圆的正面覆盖有一层光阻层，所述光阻层上附着有颗粒物，所述光阻层在去除后所述颗粒物掉落于所述晶圆上；包括以下步骤：步骤S1、向去除所述光阻层的所述晶圆的表面喷洒清洗溶液；步骤S2、通过研磨清扫装置，对喷洒有所述清洗溶液的所述晶圆的正面进行清扫，以去除附着在所述晶圆上的所述颗粒物。其技术方案的有益效果在于，通过研磨清扫装置可有效的去除附着在晶圆上的颗粒物，克服了现有技术中去除晶圆上的颗粒物存在的操作复杂且去除效率较低的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 颗粒 进行 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法，应用在离子注入工艺中，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆的正面覆盖有一层光阻层，所述光阻层上附着有颗粒物，所述光阻层在去除后所述颗粒物掉落于所述晶圆上；包括以下步骤：步骤S1、向去除所述光阻层的所述晶圆的表面喷洒清洗溶液；步骤S2、通过研磨清扫装置，对喷洒有所述清洗溶液的所述晶圆的正面进行清扫，以去除附着在所述晶圆上的所述颗粒物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
