[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
申请号: | 201711338029.0 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN109216323B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 王垂堂;余振华;陈韦廷;陈颉彦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例提供了一种半导体器件,包括嵌入在模塑材料中的第一管芯,其中,第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑材料的侧壁并且在模塑材料的与第一侧相对的第二侧上的第二金属涂层。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一管芯,嵌入在模塑材料中,其中,所述第一管芯的接触焊盘邻近所述模塑材料的第一侧;再分布结构,在所述模塑材料的所述第一侧上方;第一金属涂层,沿所述第一管芯的侧壁并且在所述第一管芯和所述模塑材料之间;以及第二金属涂层,沿所述模塑材料的侧壁并且在所述模塑材料的与所述第一侧相对的第二侧上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711338029.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件