[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711340793.1 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109427899B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 林群雄;张家豪;王志豪;连万益;周智超;王培宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，在沟道层和隔离绝缘层上方形成栅极结构。在栅极结构的侧面上形成第一侧壁间隔件层。牺牲层形成为使得从牺牲层暴露具有第一侧壁间隔物件层的栅极结构的上部，并且具有第一侧壁间隔件层的栅极结构的底部嵌入到牺牲层中。通过去除第一侧壁间隔件层的至少部分，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成间隔。在去除第一侧壁间隔件层之后，通过在栅极结构上方形成第二侧壁间隔件层，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成气隙。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在沟道层和隔离绝缘层上方形成栅极结构；在所述栅极结构的侧面上形成第一侧壁间隔件层；形成牺牲层，使得具有所述第一侧壁间隔件层的所述栅极结构的上部从所述牺牲层暴露，并且具有所述第一侧壁间隔件层的所述栅极结构的底部嵌入到所述牺牲层中；通过去除所述第一侧壁间隔件层的至少一部分，在所述栅极结构的底部和所述牺牲层之间形成间隔；以及在去除所述第一侧壁间隔件层之后，通过在所述栅极结构上方形成第二侧壁间隔件层来在所述栅极结构的底部和所述牺牲层之间形成气隙。
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