[发明专利]ITO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711341683.7 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108048796A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 崔鸽;洪承健;何永才;董刚强;郁操;徐希翔;李沅民 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;解立艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气；通过磁控溅射工艺形成ITO薄膜。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在ITO薄膜制备过程中引入水汽，提高了ITO薄膜有效透过率、迁移率等电学性能和光学性能，同时增加了使用该ITO薄膜的异质结太阳能电池的短路电流，提升了电池的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，制备步骤包括：向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气，并通过磁控溅射工艺形成ITO薄膜。
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