[发明专利]一种LED芯片的制备方法及LED芯片有效
| 申请号： | 201711341781.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108110106B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 苏胜 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，其中，该方法包括：分别在与N型层、P型层和发光层各自匹配的蚀刻层上形成N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层；蚀刻掉与所述N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层各自匹配的蚀刻层后，得到N型靶材层、P型靶材层和发光靶材层；依次将所述N型靶材层、所述发光靶材层和所述P型靶材层溅射至预先制备的基底层上，在所述基底层上形成所述N型层、发光层和P型层。本申请实施例降低了LED芯片中外延层的晶格失配度。 | ||
| 搜索关键词： | 靶材 混合层 发光 制备 发光层 基底层 蚀刻层 匹配 晶格失配度 蚀刻 外延层 溅射 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：分别在与N型层、P型层和发光层各自匹配的蚀刻层上形成N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层；蚀刻掉与所述N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层各自匹配的蚀刻层后，得到N型靶材层、P型靶材层和发光靶材层；依次将所述N型靶材层、所述发光靶材层和所述P型靶材层溅射至预先制备的基底层上，在所述基底层上形成所述N型层、发光层和P型层。
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