[发明专利]图像传感器及包括其的电子装置在审
| 申请号： | 201711346652.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108242449A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李志源;赵鼎镇;林茂燮;徐圣永;李海源 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括：包含共用像素的像素区域，其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管；以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域，其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组，其中，当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时，对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 共用像素 图像传感器 电子装置 像素区域 光电二极管 浮置扩散 晶体管组 相邻布置 源极区域 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：包括共用像素的像素区域，其中所述共用像素中的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管；以及与所述像素区域相邻的晶体管(TR)区域，其中所述晶体管区域包括对应于所述共用像素的晶体管组，其中，当所述共用像素中的第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时，所述晶体管组中对应于所述第一共用像素的第一晶体管组和对应于所述第二共用像素的第二晶体管组共用第一选择晶体管的源极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
