[发明专利]一种硅片的清洗方法在审
| 申请号： | 201711349496.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108039315A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 侯玥玥;黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种硅片的清洗方法，包括：将待清洗的硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在硅片表面形成氧化膜；将硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对氧化膜进行去除，氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1‑10:1，包括端点值；预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃‑80℃，包括端点值；将硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对硅片表面的金属离子进行去除；将硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。该方法可在去除硅片表面沾污的杂质的基础上达到节省氢氟酸的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的清洗方法，其特征在于，包括：将待清洗的半导体硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在所述半导体硅片表面形成氧化膜；将所述半导体硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对所述氧化膜进行去除，其中，所述氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1-10:1，包括端点值；所述预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃-80℃，包括端点值；将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于所述半导体硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；将所述半导体硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对所述半导体硅片表面的金属离子进行去除；将所述半导体硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
