[发明专利]基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法有效
| 申请号： | 201711351330.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108109959B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法，该制备方法包括：(a)选取衬底；(b)在所述衬底中制作BJT、TVS孔及隔离沟槽；(c)在所述TSV孔与所述BJT上表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接；(d)去除所述衬底底部部分材料，以在所述衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT；(e)在所述TSV孔与所述BJT下表面制作凸点。本发明提供的基于BJT的集成电路抗静电转接板，通过在TSV转接板上加工BJT作为ESD防护器件，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bjt 集成电路 抗静电 转接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取衬底；(b)在所述衬底中制作BJT、TVS孔及隔离沟槽；(c)在所述TSV孔与所述BJT上表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接；(d)去除所述衬底底部部分材料，以在所述衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT；(e)在所述TSV孔与所述BJT下表面制作凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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