[发明专利]集成电路抗静电转接板在审

申请号：	201711352566.0	申请日：	2017-12-15
公开（公告）号：	CN108109962A	公开（公告）日：	2018-06-01
发明（设计）人：	冉文方	申请（专利权）人：	西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L23/48
代理公司：	西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230	代理人：	李斌
地址：	710065 陕西省西安市高新区高新路86号***	国省代码：	陕西;61
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摘要：	本发明涉及一种集成电路抗静电转接板，包括：硅基衬底11、TSV孔12、隔离沟槽13、二极管14、插塞15、互连线16、凸点17及隔离层18；所述TSV孔12竖直贯穿于所述硅基衬底11且所述TSV孔12中填充多晶硅材料；所述隔离沟槽13竖直贯穿于所述硅基衬底11且所述隔离沟槽13中填充二氧化硅材料；所述二极管14设置于所述硅基衬底11内且与所述TSV孔12分别位于所述隔离沟槽13两侧；所述隔离层18分别设置于所述硅基衬底11相对的表面；所述插塞15分别设置于所述隔离层18中并位于所述多晶硅材料、所述二极管14表面。本发明提供的集成电路抗静电转接板，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
搜索关键词：	硅基衬隔离沟槽二极管隔离层抗静电集成电路多晶硅材料转接板插塞竖直填充二氧化硅材料抗静电能力层叠封装转接互连线贯穿凸点芯片
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【主权项】：

1.一种集成电路抗静电转接板(10)，其特征在于，包括：硅基衬底(11)、TSV孔(12)、隔离沟槽(13)、二极管(14)、插塞(15)、互连线(16)、凸点(17)及钝化层(18)；所述TSV孔(12)竖直贯穿于所述硅基衬底(11)且所述TSV孔(12)中填充多晶硅材料；所述隔离沟槽(13)竖直贯穿于所述硅基衬底(11)且所述隔离沟槽(13)中填充二氧化硅材料；所述二极管(14)设置于所述硅基衬底(11)内且与所述TSV孔(12)分别位于所述隔离沟槽(13)两侧；所述钝化层(18)分别设置于所述硅基衬底(11)相对的表面；所述插塞(15)分别设置于所述钝化层(18)中并位于所述多晶硅材料、所述二极管(14)表面；所述互连线(16)设置于所述钝化层(18)中并经所述插塞(15)与所述多晶硅材料与所述二极管(14)的P区相连接；所述凸点(17)分别设置于所述钝化层(18)中并经所述插塞(15)与所述多晶硅材料及所述二极管(14)的N区相连接。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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