[发明专利]反型QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711353407.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935715B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备空穴功能层，在所述空穴功能层上制备阳极。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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