[发明专利]半导体晶圆切割方法在审
申请号: | 201711360171.5 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108231571A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 克里斯普洛·埃斯蒂拉·小利克陶;皮塔克·肖恩廷佩尔;西里卢克·翁格拉塔娜波恩古恩;马修·曼德拉·费尔南德斯;阿米莱特·德扬·卡布雷拉 | 申请(专利权)人: | 安世有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种切割弯曲或翘曲的半导体晶圆的方法,包括:在所述晶圆的第一半部上沿第一方向上的锯道进行切割,其中所述第一方向平行于弯曲;在与第一半部相对的晶圆的第二半部上沿第一方向上的锯道进行切割;以及,沿第二方向上的锯道进行台阶状切割,使得所有裸片彼此分离,并且裸片的与沿弯曲方向的侧面是平坦的,而裸片的与弯曲方向垂直的侧面是台阶状的。 | ||
搜索关键词: | 切割 锯道 裸片 半导体晶圆 第一半部 弯曲方向 台阶状 晶圆 彼此分离 第二半部 方向平行 侧面 垂直的 翘曲 平坦 | ||
【主权项】:
1.一种切割半导体晶圆的方法,其中,所述晶圆包括在所述晶圆上以矩阵排列的多个裸片,其中,所述裸片由在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的锯道分离,所述方法包括:在所述晶圆的第一半部上沿所述第一方向上的锯道进行切割;在与所述第一半部相对的所述晶圆的第二半部上沿所述第一方向上的锯道进行切割;以及沿所述第二方向上的锯道进行台阶状切割,从而使所有裸片彼此分离,并且所述裸片的与所述第一方向平行的侧面是平坦的,而所述裸片的与所述第一方向垂直的侧面是台阶状的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造