[发明专利]元件基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201711363828.3 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108011012A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 曹梓毅;杨文玮;蔡正晔 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种元件基板，包含接收基板、微型发光元件、第一导电结构、第二导电结构、参考电压线与驱动元件。接收基板具有多个子区域。微型发光元件设置于至少一个子区域上。微型发光元件包含第一图案化半导体层、第二图案化半导体层以及图案化发光层。第一图案化半导体层具有邻近于第一侧的第一缺角。第二图案化半导体层具有邻近于第二侧的第二缺角。部份第一导电结构位于第一缺角中，且电性连接图案化第一半导体层与参考电压线。部分第二导电结构位于第二缺角中，且电性连接图案化第二半导体层与驱动元件。本发明还提出一种元件基板的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种元件基板，其特征在于，包含:一接收基板，具有多个子区域；至少一微型发光元件，设置于该些子区域至少一个上，且该微型发光元件包含:一第一图案化半导体层，设置于该接收基板上；一第二图案化半导体层，设置于该接收基板上，其中，该第二图案化半导体的极性相反于该第一图案化半导体的极性，且该第一图案化半导体层的投影面积大于该第二图案化半导体层的投影面积；一图案化发光层，设置于该第一图案化半导体层与该第二图案化半导体层之间，其中，该第一图案化半导体层、该第二图案化半导体层与该图案化发光层分别具有一第一侧与一第二侧，且该第一侧不同于该第二侧；以及其中，该第一图案化半导体层具有一第一缺角邻近于该第一侧，该第二图案化半导体层具有一第二缺角邻近于该第二侧；以及一第一导电结构，至少部份位于该第一缺角中，且电性连接该图案化第一半导体层与该接收基板的一参考电压线；以及一第二导电结构，至少部分位于该第二缺角中，且电性连接该图案化第二半导体层与该接收基板的至少一驱动元件。
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