[发明专利]感测单元及其制造方法有效
申请号: | 201711364304.6 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108010969B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 谢昊伦;陈敬文;黄明益;黄仲钦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种感测单元,包括第一绝缘层、感光元件、二极管元件和发光元件。感光元件设置于第一绝缘层上。感光元件包括第一下电极、感测层和第一上电极。第一下电极位于第一绝缘层上。二极管元件设置于第一绝缘层上。二极管元件包括第二下电极、半导体层和第二上电极。第二下电极位于第一绝缘层上。发光元件设置于感光元件上方。发光元件包括第三下电极、发光层和第三上电极。二极管元件的第二下电极和第二上电极二者之中作为阳极者和作为阴极者,分别电性耦接至发光元件的第三下电极和第三上电极二者之中作为阴极者和作为阳极者。 | ||
搜索关键词: | 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种感测单元,其特征在于,包括:一基板;一读取元件,位于该基板之上;一第一绝缘层,位于该基板之上;一感光元件,设置于该第一绝缘层上,该感光元件包括一第一下电极、一感测层和一第一上电极,该第一下电极位于该第一绝缘层上并且与该读取元件电性连接,该感测层位于该第一下电极上,该第一上电极位于该感测层上;一二极管元件,设置于该第一绝缘层上,该二极管元件包括一第二下电极、一半导体层和一第二上电极,该第二下电极位于该第一绝缘层上,该半导体层位于该第二下电极上,该第二上电极位于该半导体层上;一保护层,设置于该读取元件、该感光元件以及该二极管元件上;以及一发光元件,设置于该感光元件上方,该发光元件包括一第三下电极、一发光层和一第三上电极,该第三下电极位于该保护层上,该发光层位于该第三下电极上,该第三上电极位于该发光层上;其中,该二极管元件的该第二下电极和该第二上电极二者之中作为阳极者电性耦接至该发光元件的该第三下电极和该第三上电极二者之中作为阴极者,并且该二极管元件的该第二下电极和该第二上电极二者之中作为阴极者电性耦接至该发光元件的该第三下电极和该第三上电极二者之中作为阳极者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的