[发明专利]双极晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201711366256.4 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108063162B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种双极晶体管的制作方法包括：提供P型衬底，形成N型埋层、N型外延层、隔离沟槽、N阱、氧化层、第一开口；在氧化层及第一开口处的N型外延层上形成第一多晶硅，对第一多晶硅进行P型注入；对第一多晶硅进行表面氧化形成氧化硅层；对氧化硅层进行光刻及腐蚀，去除氧化层上的部分第一多晶硅上的氧化硅层；在第一多晶硅及氧化硅层上形成第二多晶硅；对第二多晶硅及第一多晶硅进行光刻与刻蚀，去除氧化层上的部分第一多晶硅及第二多晶硅；去除N型外延层上的部分第二多晶硅及部分氧化硅层，从而形成贯穿第二多晶硅及氧化硅层的第二开口；对第二开口处的第一多晶硅进行热氧化形成氧化物；去除氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，形成贯穿所述N型外延层与所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，以及在所述隔离沟槽、所述N阱及所述N型外延层上形成氧化层与贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口；在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成第一多晶硅，对所述第一多晶硅进行P型注入；对所述第一多晶硅进行表面氧化从而在所述第一多晶硅表面形成氧化硅层；利用光刻胶对所述氧化硅层进行光刻及腐蚀，去除所述氧化层上的部分第一多晶硅上的氧化硅层；在所述第一多晶硅及所述氧化硅层上形成第二多晶硅；对所述第二多晶硅及所述第一多晶硅进行光刻与刻蚀，去除所述氧化层上的部分第一多晶硅及第二多晶硅；去除所述第一多晶硅上的部分氧化硅层及部分第二多晶硅，从而形成贯穿所述第二多晶硅及所述氧化硅层的第二开口；对所述第二开口处的第一多晶硅进行热氧化形成氧化物；去除所述氧化物。
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