[发明专利]一种碳硼烷改性超支化聚碳硅烷陶瓷前驱体及其制备方法有效
申请号: | 201711368871.9 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108084443B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 周权;倪礼忠;葛娟;卢丹;彭峥强 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60;C04B35/565;C04B35/563;C04B35/622 |
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摘要: | 本发明公开了一类碳硼烷改性超支化聚碳硅烷陶瓷前驱体及其制备方法。本方法采用一种在固化过程中可以发生Diels‑Alder反应的超支化聚碳硅烷陶瓷前驱体,得到的碳硼烷改性超支化聚碳硅烷陶瓷前驱体固化产物致密无气泡,在聚合物中引入碳硼烷,碳硼烷的笼型结构能够给聚合物提供了更好的耐热氧化性能,同时硼元素的引入使得热解后的SiC/B4C复相陶瓷在高温空气环境下生成硼硅酸盐化合物,阻止陶瓷产物的进一步氧化,从而提高陶瓷产物的耐热氧化性能,并且改善了超支化聚碳硅烷陶瓷产率低的缺点,有助于实现超支化聚碳硅烷陶瓷前驱体材料在耐烧蚀领域的广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 超支化聚碳硅烷 碳硼烷 陶瓷前驱体 改性 耐热氧化性能 陶瓷产物 聚合物 制备 陶瓷前驱体材料 致密 复相陶瓷 高温空气 固化产物 固化过程 笼型结构 硼硅酸盐 耐烧蚀 硼元素 引入 产率 热解 陶瓷 应用 | ||
【主权项】:
1.一种碳硼烷改性超支化聚碳硅烷陶瓷前驱体,其特征在于:所述的陶瓷前驱体为一种分子链末端含有碳硼烷和可交联固化基团C≡C的聚合物,其结构如下所示:其中为
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