[发明专利]一种用于铝制程芯片的均匀去层方法有效
| 申请号： | 201711375704.7 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108091561B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 单书珊;乔彦彬;马强;李建强 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李晓康;张相午 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 层厚度 刻蚀 金属布线层 刻蚀气体 布线层 除金属 芯片 铝制 橡皮 选择性刻蚀 边缘效应 介质通孔 速率确定 内表面 预设 | ||
【主权项】：
1.一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，该铝制程芯片的某一层结构中包括金属布线层、位于所述金属布线层外表面的第一阻挡层、位于所述金属布线层内表面的第二阻挡层以及包围在所述第一阻挡层、所述金属布线层和所述第二阻挡层的周围的介质通孔层，且该金属布线层的材料为铝，其特征在于，该均匀去层方法包括：/n获取所述金属布线层的厚度信息、所述第一阻挡层的厚度信息、所述第二阻挡层的厚度信息以及所述第一阻挡层表面的介质通孔层的厚度信息；/n根据第一计算式确定第一刻蚀时间t
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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